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我国具有自主知识产权的相变存储器研制

2019-01-03 00:37:36

我国具有自主知识产权的相变存储器研制成功

【大比特导读】我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元,但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术,国内存储器生产成本极为高昂。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产。

摘要:我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元,但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术,国内存储器生产成本极为高昂。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产。关键字:存储器,芯片,PCRAM

我国款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功,打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面,产业化前景可观。

据专家介绍,此款PCRAM芯片将可取代传统存储器,广泛应用于存储、射频识别等多种消费型电子产品中。

我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元,但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术,国内存储器生产成本极为高昂。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产。

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